Samsung geleceğin güçlü işlemcilerine kapı açacak ilk 14 nm FinFET test yongasını üretti

ABD’nin Teksas eyaletindeki Austin şehrinde bulunan yonga üretim tesisini büyütme planlarını onaylayan Samsung 2013 yılında silikon teknolojileri alanında da dur durak bilmeyeceğinin işaretlerini vermeye devam ediyor. Güney Koreli şirket ilk 14 nm FinFET test yongasını üretti. Bu yeni tasarım Intel’in Ivy Bridge donanımlarında yer alan “Tri-Gate” adlı tasarıma göre önemli güç ve performans artışı sağlıyor.

Samsung’un ilk örneğini gerçekleştirdiği 14 nm FinFET’in modellenmesinde Synopsys adlı yazılım ve servis şirketinin deneyimlerinden yararlanıldı. Samsung ve Synopsys arasındaki yıllara yayılmış işbirliği sayesinde üç boyutlu tranzistörleri temel alan FinFET yongalı cihazların gerçekleştirilmesi için gerekli olan çeşitli teknikler Synopsys tarafından desteklenecek. Synopsys’in yanı sıra ARM’in de bu yeni yonganın üretim sürecinde katkıları bulunuyor.