Globalfoundries 3D tranzistör arenasında Intel ile rekabet edebileceğini ispatlamak istercesine yeni 14nm-XM (Extreme Mobility) modüler mimarisini görücüye çıkardı. Şirketin düşük voltajlı ve sızdırmalı tabiat gösteren FinFET düzenini kullanan bu yeni yonga mimarisi, henüz gelişim aşamasında olan 20 nm sürecinden bazı izler de taşıyarak genelde bir “die shrink”ten gelen boyut ve güç tasarrufuyla birlikte 14 nm yonganın geliştirilmesine kapı açıyor.
Düz tranzistörlü daha büyük işlemcilerle karşılaştırıldığında bu yeni teknik, geri kalan her şey aynı seviyede tutulduğunda yüzde 40 ila 60 arasında daha iyi batarya ömrü sunuyor. 28 nm Snapdragon S4 işlemcili cihazların bile tek bir şarj ile tüm gün dayanmakta zorlandığı bir ortamda bu önemli bir gelişme sayılır. Globalfoundries hiç de sürpriz sayolmayacak şekilde tüm enerjisini 14 nm XM mimarisini enerji tasarrufunu en iyi yapan ARM tabanlı işlemcilere bindirmeye çalışıyor. Globalfoundries çalışan ilk 14 nm silikonunun 2013 yılında geleceğini öngörüyor. Bu durum test amaçlı ilk yonga örnekleriyle son kullanıcının eline ulaşacak ürünler arasında tahmin edilenden daha uzun sürenin geçmesine neden olabilir.
İlgili >> Globalfoundries, Engadget
Günün Öne Çıkan Fırsatları
REKLAM — Bu içerikte satış ortaklığı bağlantıları bulunmaktadır. Bu bağlantılar üzerinden yapılan alışverişlerden Teknoblog komisyon kazanabilir.
