Qualcomm’un yeni nesil amiral gemisi telefon işlemcisi, performans ve verimlilikte önemli bir artış getirmesi beklenen yeni nesil 4nm üretim sürecine dayanacak şekilde geliştiriliyor. Yeni üretim süreci, mevcut durumda en iyisi olan 5nm’yi bile gölgede bırakacak. Şu anda birçok akıllı telefon işlemcisi 7nm ve hatta daha büyük üretim mimarilerine dayanıyor. Bu nedenle 4nm ileriye doğru atılmış büyük ve önemli bir adım olarak nitelendirilebilir.
Bununla birlikte, Snapdragon 895 ve onu gelecek yılın ortalarında takip edecek olan 895+ için iki farklı üreticinin olması bekleniyor. İlki Samsung tarafından, ikincisi ise Tayvanlı TSMC tarafından üretilecek. Bu iddia Twitter’ın ünlü sızıntı kaynaklarından Ice Universe‘e ait.
İLGİNİZİ ÇEKEBİLİR
Akıllı telefon üreticilerini etkileyecek: Qualcomm fiyat artışını duyurdu
Akıllı telefon işlemci pazarında sert düşüş: Qualcomm ve MediaTek ağır darbe aldı
Honor X7e Plus dev pil ve Snapdragon 4 Gen 4 ile geliyor
Huawei FreeClip 2 S’in 12.999 TL’lik Türkiye fiyatı netleşti
MSI’ın 27 inç 4K IJP OLED monitörü ekran üretimini değiştiriyor
Snapdragon 895 yıl sonunda duyurulacak ve muhtemelen Qualcomm’un yıl sonlarında gerçekleştirdiği Snapdragon Tech Summit etkinliğinde duyurulacak. Snapdragon 895+ ise bundan bir yıl sonra çıkış yapacak. Qualcomm daha yeni Snapdragon 888 Plus‘ı duyurdu ve telefonlarda dağıtmaya hazırlanıyor.
Geçtiğimiz aralık ayında, daha sonra yurt dışındaki bazı ülkelerde satılan Samsung Galaxy S21 ve OnePlus 9 Serisi gibi telefonlarda kullanılan Snapdragon 888 duyurulmuştu.
Snapdragon 895’in yılın ilk yarısında çıkacak birçok amiral gemisi telefonda yer alacağını söylemeye gerek yok. Yeni duyurulan ve temelde saat frekansı artırılan 888 Plus ise yeni Asus ROG Phone telefonunda, aynı zamanda Honor, Vivo, Xiaomi ve Motorola gibi üreticilerin yakında çıkaracakları amiral gemisi telefonlarda yer alacak.
Günün Öne Çıkan Fırsatları
REKLAM — Bu içerikte satış ortaklığı bağlantıları bulunmaktadır. Bu bağlantılar üzerinden yapılan alışverişlerden Teknoblog komisyon kazanabilir.
