Teknoblog Donanım Samsung'un yeni teknolojisi aynı alanda daha fazla RAM sunacak

Samsung’un yeni teknolojisi aynı alanda daha fazla RAM sunacak

Fizik kanunları ve Moore Kanunu sayesinde, tek bir cihaza sığdırılan silikon miktarının sınırları zorlanıyor. Buradaki mücadele kaplanan alanı artırmadan mümkün olan en fazla bileşeni sığdırmak olmuştur. Üretim süreçlerini iyileştirmenin yanı sıra, yapbozun önemli parçalarından bir tanesi de eski teknikleri ve tasarımları başarıya ulaştırmak için yaratıcı yollar düşünmektir. Samsung da yeni DRAM teknolojisiyle bunu yapıyor.

Samsung’un yeni teknolojisi sayesinde 12 DRAM yongasını aynı alana 8 yonga şeklinde sığdırmak mümkün oluyor. Bunu yaparken geleneksel kablo bağlama tekniği değiştiriliyor.

Silikon üreticileri alan tarafındaki kısıtlamalar nedeniyle üçüncü boyutu da hesaba katmaya başladılar. Yatayda genişleyemediğiniz zaman, dikeye doğru genişlemeye çalışırsınız. Yongaları üst üste yığmak kablo bağlama ile mümkün olabilir, ancak bu kablolar ne kadar ince olsa da, yonga katmanları arasında yer tutabiliyor.

3D Through-Silicon Via ya da TSV olarak adlandırılan bu teknik, adından da anlaşılacağı üzere konnektörü yongaların arasından geçiriyor. Böylelikle sadece yatayda daha az alan kaplanmıyor, aynı zamanda her bir silikon katmanı arasındaki boşluk da azaltılıyor. Buna ek olarak, kullanılan malzeme miktarı da azalıyor, çünkü yongalar ve alttaki PCB arasındaki bağlantı da kısalıyor.

İLGİNİZİ ÇEKEBİLİR
Samsung yapımı Exynos 880 orta segment telefonlarda yer alacak

Birçok avantajının bulunmasına rağmen, TSV teknolojisini gerçeğe dökmek kolay değil, aynı zamanda pahalı. Aslında Samsung’un duyurusunda da, bu tekniğin hayata geçirilmesi için 60 bini aşkın delik kullanıldığı belirtiliyor. Bu etkileyici olmakla birlikte, 12 DRAM yongasını 8 katmanlı ve kablo bağlamalı DRAM çözümüyle aynı yükseklikte, yani 720 mikrometrede tutmayı becermek de ayrı bir marifet gerektirir.

Sonuç olarak, mevcut çözümlerde kullanılan alanla aynı alanda daha yüksek DRAM kapasitesi sunulabiliyor. Samsung, bu 12-katmanlı 3D TSV teknolojisini kullanarak 24 GB DRAM üretmeyi planlıyor. Bu ürün High Bandwidth Memory 2 (Yüksek Bant Genişlikli Bellek 2) (HBM2) serisinde yer alacak. Bu da ne kadar pahalı ve nadir bulunan bir ürün olacağını gösteriyor.

TEKNOBLOG BÜLTEN

Güncel teknoloji haberleri her sabah e-posta kutunuza gelsin ister misiniz?

Samsung Galaxy Tab S6 Lite İncelemesi

Samsung Galaxy Tab S6 Lite GittiGidiyor'dan satın alın SATIN AL iPad'in dışında bir tablet seçeneği arayanlar için tavsiye edilecek seçeneklerin başında Samsung tabletleri geliyor. Son zamanlarda Android...

Türkiye’de koronavirüs: Yeniden normal hayata dönüş ile ilgili önemli kararlar

Koronavirüs salgının aşağı yönde seyir izlemesinin bir sonucu olarak normal hayata dönüş yolunda kademeli olarak adımlar atılıyor. Bugün düzenlenen Cumhurbaşkanlığı Kabine Toplantısı sonrasında bir...

Samsung Money banka kartı ile ilgili yeni detaylar paylaşıldı

Samsung çok yakında faaliyete geçirmeyi planladığı banka kartı programı ile ilgili detayları paylaştı. Samsung Money adını taşıyan programda Samsung'a SoFi de ortaklık edecek. Bu...

Huawei P40 Pro İncelemesi

Huawei P40 Pro GittiGidiyor'dan satın alın SATIN AL Huawei için mobil cihazlar tarafında yepyeni bir mücadele başladı. Bu yılın başlarında Türkiye'de de gördüğümüz Huawei Mate 30 Pro,...

NASA SpaceX Crew Dragon Demo-2 fırlatma işlemini canlı yayın ile takip edin

Bugün NASA'nın Ticari Mürettebat Programı kapsamında, NASA astronotları Robert Behnken ve Douglas Hurley, SpaceX'in Crew Dragon adlı uzay aracıyla Uluslararası Uzay İstasyonu'na taşınacak. başlatacak....

YORUMLARINIZI BEKLİYORUZ

Lütfen yorumunuzu giriniz!
Lütfen isminizi buraya giriniz