Fizik kanunları ve Moore Kanunu sayesinde, tek bir cihaza sığdırılan silikon miktarının sınırları zorlanıyor. Buradaki mücadele kaplanan alanı artırmadan mümkün olan en fazla bileşeni sığdırmak olmuştur. Üretim süreçlerini iyileştirmenin yanı sıra, yapbozun önemli parçalarından bir tanesi de eski teknikleri ve tasarımları başarıya ulaştırmak için yaratıcı yollar düşünmektir. Samsung da yeni DRAM teknolojisiyle bunu yapıyor.
Samsung’un yeni teknolojisi sayesinde 12 DRAM yongasını aynı alana 8 yonga şeklinde sığdırmak mümkün oluyor. Bunu yaparken geleneksel kablo bağlama tekniği değiştiriliyor.
Silikon üreticileri alan tarafındaki kısıtlamalar nedeniyle üçüncü boyutu da hesaba katmaya başladılar. Yatayda genişleyemediğiniz zaman, dikeye doğru genişlemeye çalışırsınız. Yongaları üst üste yığmak kablo bağlama ile mümkün olabilir, ancak bu kablolar ne kadar ince olsa da, yonga katmanları arasında yer tutabiliyor.
İLGİNİZİ ÇEKEBİLİR
Samsung ve Broadcom yapay zeka çipleri için 200 milyar dolarlık anlaşma yaptı
Samsung’un yeni katlanabilir telefonları Gemini Nano 4 ile geliyor
Samsung Galaxy Z Flip 8’i tanıttı: Kapak ekranı artık daha fazla iş yapıyor
Samsung iki yeni Fold modelini tanıttı: Ultra sürüm 200 MP kamerayla geliyor
Samsung insansı robot hedefi için yeni bir robotik birimi kurdu
3D Through-Silicon Via ya da TSV olarak adlandırılan bu teknik, adından da anlaşılacağı üzere konnektörü yongaların arasından geçiriyor. Böylelikle sadece yatayda daha az alan kaplanmıyor, aynı zamanda her bir silikon katmanı arasındaki boşluk da azaltılıyor. Buna ek olarak, kullanılan malzeme miktarı da azalıyor, çünkü yongalar ve alttaki PCB arasındaki bağlantı da kısalıyor.
Günün Öne Çıkan Fırsatları
Teknoblog'un satış ortaklıkları vardır. Bunlar, editoryal içeriği etkilemez, ancak Teknoblog, satış ortaklığı bağlantıları üzerinden satın alınan ürünler için komisyon kazanabilir.
[irp]
Birçok avantajının bulunmasına rağmen, TSV teknolojisini gerçeğe dökmek kolay değil, aynı zamanda pahalı. Aslında Samsung’un duyurusunda da, bu tekniğin hayata geçirilmesi için 60 bini aşkın delik kullanıldığı belirtiliyor. Bu etkileyici olmakla birlikte, 12 DRAM yongasını 8 katmanlı ve kablo bağlamalı DRAM çözümüyle aynı yükseklikte, yani 720 mikrometrede tutmayı becermek de ayrı bir marifet gerektirir.
Sonuç olarak, mevcut çözümlerde kullanılan alanla aynı alanda daha yüksek DRAM kapasitesi sunulabiliyor. Samsung, bu 12-katmanlı 3D TSV teknolojisini kullanarak 24 GB DRAM üretmeyi planlıyor. Bu ürün High Bandwidth Memory 2 (Yüksek Bant Genişlikli Bellek 2) (HBM2) serisinde yer alacak. Bu da ne kadar pahalı ve nadir bulunan bir ürün olacağını gösteriyor.
