Samsung Foundry, düzenlediği SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem) Forum etkinliğinde gelecek yıllara yönelik üretim teknolojisi planlarını paylaştı. Şirket, 2 nanometre üretim sürecinin yeni sürümlerine ilişkin takvimi açıklarken, 2029 yılında seri üretime geçmesi hedeflenen 1,4 nanometre teknolojisi hakkında da yeni bilgiler verdi. Paylaşılan yol haritası, Samsung’un yalnızca daha küçük üretim geometrilerine odaklanmadığını, aynı zamanda tasarım süreçlerini üretim teknolojileriyle daha yakın biçimde bütünleştirerek performans ve enerji verimliliğini artırmayı hedeflediğini gösteriyor.
Samsung, geçen yıl SF2 adı verilen ilk 2 nanometre üretim teknolojisini ve bu süreçte üretilecek ilk akıllı telefon işlemcisi olan Exynos 2600’ü tanıtmıştı. Şirket şimdi ise SF2’nin geliştirilmiş sürümü olan SF2P üretim teknolojisini duyurdu. Samsung Foundry Tasarım Platformu Geliştirme Ekibi Başkan Yardımcısı Shin Jong-shin’in verdiği bilgilere göre SF2P, önceki nesle kıyasla güç tüketimini yüzde 26 oranında azaltırken çalışma frekansını ise yüzde 15 artıracak. Bununla birlikte elde edilen kazanımların tamamı yalnızca yeni üretim sürecinden kaynaklanmıyor. Samsung, performans ve verimlilik artışının yarısından fazlasını DTCO yaklaşımına bağlıyor.
DTCO yaklaşımı performans artışında belirleyici rol oynuyor
DTCO (Design-Technology Co-Optimization), yarı iletken üretim teknolojisi ile çip tasarımının aynı anda geliştirilmesini temel alan bir yöntem olarak öne çıkıyor. Geleneksel üretim modelinde bu iki süreç birbirinden bağımsız ilerlerken, DTCO yaklaşımı sayesinde tasarım ve üretim aşamaları eş zamanlı optimize ediliyor. Samsung’a göre bu yöntem daha yüksek çalışma hızları, daha düşük enerji tüketimi ve üretim maliyetlerinde iyileşme sağlayabiliyor. Özellikle yapay zekâ işlemcileri ve yüksek performanslı mobil yongalar gibi karmaşık tasarımlarda bu yaklaşımın etkisinin daha belirgin hâle gelmesi bekleniyor.
Şirketin yol haritasında SF2P’nin ardından SF2P+ üretim teknolojisi bulunuyor. Bu sürecin seri üretimine 2027 ile 2028 yılları arasında başlanması planlanıyor. Bunun yanında SF2X adı verilen farklı bir 2 nanometre türevi üzerinde de çalışmalar sürüyor. Samsung, bu üretim teknolojisinin özellikle yapay zekâ hızlandırıcıları ve benzeri yüksek hesaplama gücü gerektiren donanımlar için optimize edileceğini belirtiyor. Böylece farklı kullanım senaryolarına yönelik özelleştirilmiş üretim süreçlerinin geliştirilmesi hedefleniyor.
İLGİNİZİ ÇEKEBİLİR
Samsung Galaxy Ring 2 için beklenen açıklama geldi
Samsung Galaxy Z Fold 8 için sürpriz paylaşım yaptı ve yeni tasarımı işaret etti
Samsung Galaxy A18 serisinde Exynos dönemi sona erebilir
Samsung Galaxy S27 serisinin tamamında Privacy Display özelliği sunulabilir
Samsung Galaxy Glasses’ın tasarımına en net bakış yeni videoyla geldi
Bunun yanında Samsung, işlemcilerde daha yüksek miktarda SRAM belleğin kullanılmasını sağlayacak çözümler üzerinde de çalışıyor. SRAM, CPU ve GPU’lardaki kayıt birimleri ile önbelleklerin oluşturulmasında kullanılıyor ve DRAM’e kıyasla çok daha yüksek erişim hızları sunuyor. Ne var ki bu bellek türü önemli ölçüde daha fazla alan kaplıyor. Bunun temel nedeni, tek bir SRAM hücresinin altı transistörden oluşmasına karşılık bir DRAM hücresinin yalnızca tek transistör kullanması. Bu nedenle çip üzerinde büyük miktarda SRAM yerleştirmek, gelişmiş üretim teknolojileri ve tasarım optimizasyonu gerektiriyor.
Günün Öne Çıkan Fırsatları
Teknoblog'un satış ortaklıkları vardır. Bunlar, editoryal içeriği etkilemez, ancak Teknoblog, satış ortaklığı bağlantıları üzerinden satın alınan ürünler için komisyon kazanabilir.
Samsung, bu alandaki çalışmalarına ilişkin bazı örnekleri de paylaştı. TSMC’nin 3 nanometre üretim teknolojisiyle üretilen Nvidia Rubin GPU’sunda 128 MB çip içi SRAM bulunuyor. Öte yandan Samsung ile Groq’un birlikte geliştirdiği büyük dil modeli hızlandırıcısında 500 MB’ın üzerinde SRAM kullanılması hedefleniyor. Dikkat çeken nokta ise bu tasarımın mevcut 4 nanometre üretim teknolojisi üzerinde geliştiriliyor olması. Samsung destekli Rebellions şirketi de yine Samsung’un 4 nanometre üretim süreciyle üretilen REBEL-100 yapay zekâ hızlandırıcısını tanıtmış durumda. Bu örnekler, yalnızca üretim geometrisinin küçülmesinin değil, bellek mimarisinin de yapay zekâ donanımlarında kritik bir unsur hâline geldiğini ortaya koyuyor.
Samsung’un uzun vadeli planları ise 2 nanometre döneminin ardından 1,4 nanometre üretim teknolojisine geçişi içeriyor. Şirketin açıkladığı takvime göre SF1.4 üretim sürecinin seri üretimine 2029 yılında başlanacak. Bunun devamında SF1.4+ teknolojisinin ise 2030 yılında devreye alınması planlanıyor. Samsung daha önce SF1.4 üretimini 2027 yılı için hedeflemişti. Buna rağmen şirket, birkaç yıl önce bu planı revize ederek takvimi iki yıl ileriye taşımıştı.
Samsung Foundry’nin paylaştığı yeni yol haritası, şirketin hem mobil işlemciler hem de yapay zekâ odaklı yüksek performanslı yongalar için üretim teknolojilerini geliştirmeye devam ettiğini gösteriyor. Önümüzdeki yıllarda seri üretime geçecek yeni süreçlerin, enerji verimliliği, işlem performansı ve bellek kapasitesi gibi alanlarda sağlayacağı gelişmeler, Samsung’un TSMC ve Intel gibi rakipleriyle rekabetinde belirleyici unsurlar arasında yer alacak.
