Samsung ve TSMC, gelişmiş çip üretiminde kullanılacak ASML High NA EUV litografi sistemlerini benimsemeye hazırlanıyor. ASML tarafından açıklanan plana göre, Samsung bu teknolojiyi 2028’den itibaren DRAM üretiminde kullanacak, TSMC ise 2030 itibarıyla gelişmiş üretim süreçlerine dahil edecek. Böylelikle halihazırda High NA EUV kullanan Intel’in ardından dünyanın en büyük iki sözleşmeli ve yarı iletken üreticisi de yeni nesil litografi sistemlerine geçiş yapacak. Şirketler bunun yanında mevcut 6 inçlik fotomaskelerin yerini 12 inçlik daha büyük fotomaskelerin almasını hedefleyen ortak bir çalışma yürütüyor. Söz konusu değişiklik üretim verimliliğini artırırken gelişmiş çiplerin üretim maliyetlerinin ve karmaşıklığının azaltılmasını sağlayabilir.
High NA EUV, mevcut EUV litografi sistemlerinin daha yüksek sayısal açıklığa sahip geliştirilmiş bir biçimini oluşturuyor. Teknoloji, silikon plaka üzerinde daha küçük ve yoğun devre desenlerinin oluşturulmasına imkan tanıdığı için özellikle ileri üretim süreçlerinde üreticilerin başvuracağı yöntemlerden biri olacak. Bununla birlikte yeni litografi sistemlerine geçiş yalnızca makinelerin fabrikalara kurulmasıyla tamamlanmıyor. Üretim hatlarının, fotomaskelerin ve diğer süreçlerin de yeni sistemlerle uyumlu hâle getirilmesi gerekiyor. Intel’in High NA EUV teknolojisini üretime taşırken karşılaştığı güçlükler, Samsung ve TSMC’nin açıkladığı takvimlerin de üretim kapasitesi ve verim oranları gibi etkenlere bağlı olacağını gösteriyor.
ASML High NA EUV için Samsung ve TSMC takvimlerini belirledi
Intel şu anda ASML’nin High NA EUV teknolojisini ticari üretimde kullanan şirket konumunda bulunuyor. Şirket, 18A üretim sürecinde bu sistemlerden yararlanıyor ve teknolojiyi belirli Core Ultra Series 3, diğer adıyla Panther Lake işlemcilerinin üretiminde kullanıyor. ASML’nin verdiği bilgiye göre Intel, 18A süreciyle şimdiye kadar bir milyondan fazla wafer üretti. Intel bunun yanında 18A-P adı verilen geliştirilmiş üretim süreci üzerinde de çalışıyor. Kaynakta verilen bilgilere göre Apple da gelecek nesil iPhone modellerinde kullanılacak A serisi işlemcileri için 18A-P sürecini değerlendiriyor.
Samsung’un planı ise High NA EUV sistemlerini ilk olarak bellek tarafında devreye almak yönünde. Güney Koreli üretici, 2028’den itibaren bu teknolojiyle DRAM üretmeyi planlıyor. TSMC’nin geçiş takvimi biraz daha uzun tutulmuş durumda ve Tayvanlı şirket High NA EUV sistemlerini 2030’dan başlayarak gelişmiş üretim süreçlerinde kullanmayı hedefliyor. Buna rağmen belirtilen tarihler, yüksek hacimli üretime geçiş sırasında ortaya çıkabilecek teknik sorunlara göre değişebilir. Özellikle yeni litografi sistemlerinin üretim hattına uyarlanması, istenen verim oranlarına ulaşılması ve üretim kapasitesinin artırılması geçiş sürecinin hızını doğrudan etkileyebilir.
İLGİNİZİ ÇEKEBİLİR
Samsung Galaxy A07s çıktı, Türkiye modeli şimdiden göründü
Samsung Galaxy A07s 90 Hz ekran ve 5000 mAh pille geldi
Samsung Galaxy A35 için beklenen One UI 9 beta işareti geldi
Galaxy Watch 6 kullanıcıları One UI 9 Watch ile buluşuyor
One UI 9 Galaxy telefonların pil ömrünü bu küçük değişiklikle iyileştirebilir
ASML, Samsung ve TSMC’nin katıldığı bir başka çalışmayla fotomaske boyutunu da büyütmeyi planlıyor. Günümüzde çip desenlerinin wafer üzerine aktarılmasında standart olarak 6 inçlik fotomaskeler kullanılırken yeni girişimin hedefinde 12 inçlik fotomaskeler bulunuyor. Dünyanın önde gelen bellek üreticilerinden SK Hynix de oluşturulan konsorsiyuma katılma seçeneğini değerlendiriyor. TSMC’ye göre daha büyük maskeler fabrikaların üretkenliğini artırabilecek, çip üretim maliyetlerini düşürebilecek ve “stitching” olarak adlandırılan birleştirme işleminden kaynaklanan sınırlamaları ortadan kaldırabilecek. Bu değişiklik özellikle daha büyük ve karmaşık işlemcilerin High NA EUV ile üretilmesinde belirgin bir avantaj sağlayabilir.
Günün Öne Çıkan Fırsatları
REKLAM — Bu içerikte satış ortaklığı bağlantıları bulunmaktadır. Bu bağlantılar üzerinden yapılan alışverişlerden Teknoblog komisyon kazanabilir.
Mevcut High NA EUV sistemlerinde maskenin kapsayabileceği alanın sınırları nedeniyle büyük çip tasarımlarının farklı bölümlerinin üretim sırasında bir araya getirilmesi gerekiyor. Stitching olarak adlandırılan bu yöntem, daha büyük işlemcilerin üretilebilmesini sağlasa da sürece ek karmaşıklık ve maliyet getiriyor. 12 inçlik fotomaskeler ise daha geniş bir alanın tek seferde işlenmesine imkan vererek bu ihtiyacı azaltmayı veya tamamen ortadan kaldırmayı hedefliyor. Böylece High NA EUV’nin sağlayabildiği daha ince devre özellikleri daha büyük çip tasarımlarında daha verimli biçimde kullanılabilecek. Üreticiler açısından bunun karşılığı yalnızca daha gelişmiş işlemciler değil, aynı zamanda üretim hattında daha az işlem ve daha düşük maliyet olabilir.
12 inçlik fotomaskelere geçiş kısa vadede gerçekleşmeyecek. ASML’nin açıkladığı takvime göre yeni maske formatıyla ilgili fabrika testlerinin 2031’de başlaması, gelişmiş üretim süreçlerinde kullanımın ise 2033’te devreye girmesi öngörülüyor. ASML Teknolojiden Sorumlu Başkanı Marco Pieters, Reuters’a yaptığı açıklamada sektörün bu geçişi başarıyla gerçekleştirmesi durumunda ilgili sistemlerin üretkenliğinin yüzde 40 artabileceğini belirtti. Buna rağmen yeni maske standardı için ekipman üreticilerinden çip şirketlerine kadar geniş bir tedarik zincirinin aynı teknik gereksinimlere uyum sağlaması gerekecek. Samsung ve TSMC’nin High NA EUV için verdiği tarihler daha yakın olsa da 12 inçlik fotomaskelerin sağlayacağı asıl üretim avantajlarının önümüzdeki on yılın başlarında ortaya çıkması bekleniyor.
ASML açısından Samsung ve TSMC’nin High NA EUV’ye yönelmesi, teknolojinin Intel’in ötesinde daha geniş ölçekte kullanılacağını gösteriyor. Samsung’un DRAM, TSMC’nin ise gelişmiş mantık çipleri tarafındaki planları, aynı litografi teknolojisinin farklı yarı iletken kategorilerinde kullanılmasına zemin hazırlıyor. Bunun yanında 12 inçlik fotomaskelerin planlandığı gibi uygulanabilmesi, daha büyük çiplerde karşılaşılan üretim kısıtlamalarından birini azaltabilir. Ne var ki, hem High NA EUV sistemlerinin yüksek hacimli üretimde istenen verimliliğe ulaşması hem de yeni fotomaske standardının sektör genelinde benimsenmesi birkaç yıllık geliştirme ve test süreci gerektiriyor. Bu nedenle açıklanan takvimler, çip üreticilerinin teknik hedeflerini gösterirken gerçek üretim kapasitesi ve maliyet avantajları ancak sistemler fabrikalarda geniş ölçekte kullanılmaya başladığında daha net değerlendirilebilecek.
