Samsung, Nvidia’nın özel yüksek bant genişlikli belleği NVHBM için TSMC’nin 3 nanometre üretim sürecini kullanabilir. Seoul Economic Daily’nin 18 Ekim tarihli haberine göre, bu değişiklik bellek yığınının altındaki mantık yongasını, yani taban yongasını kapsıyor. Reuters’ın da aktardığı iddia doğrulanırsa Samsung ile TSMC ilk kez doğrudan HBM üretimi aşamasında birlikte çalışacak. Ancak haber, şirketlerin duyurduğu bir anlaşmaya değil, gazetenin sektör kaynaklarına dayanıyor.
Gazete, Nvidia’nın aynı talebi Samsung, SK hynix ve Micron’a ilettiğini yazıyor. Buna göre üç üreticiden NVHBM taban yongalarında TSMC’nin 3 nanometre sürecini, veri saklayan bellek katmanlarında ise altıncı nesil 1c DRAM teknolojisini kullanmaları istendi. Samsung’un şirket içi değerlendirmesinin ardından bu koşulları kabul ettiği öne sürülüyor.
NVHBM’de değişen parça neden önemli?
Buradaki ayrım, Samsung’un bütün belleği TSMC’ye ürettirmesi anlamına gelmiyor. Haber, bellek katmanları ile bu katmanların altında yer alan mantık devresini ayrı ele alıyor. Özellikle NVHBM’de taban yongası daha önemli bir görev üstleniyor. Nvidia’nın 26 Ağustos tarihli resmî duyurusuna göre mimari, normalde ana işlemcide bulunan bellek denetleyicisini üç boyutlu HBM yığınının içine taşıyor. Böylece işlemci üzerindeki alanın daha büyük bölümü hesaplama birimlerine ayrılabiliyor. Teknoloji, kendi yapay zeka işlemcilerini Nvidia’nın altyapısıyla birleştirmek isteyen NVLink Fusion müşterilerine yönelik geliştiriliyor.
Nvidia, NVHBM için standart HBM4E’ye kıyasla yüzde 30’a kadar daha yüksek bellek bant genişliği ve yüzde 15 daha düşük HBM güç tüketimi bildiriyor. Şirket ayrıca ana işlemcide hesaplamaya ayrılabilecek alanda yüzde 25’e kadar artıştan söz ediyor. Bunlar Nvidia’nın açıkladığı kazanımlar. Yeni tedarik haberi, Samsung ve TSMC’nin birlikte üreteceği bir ürün üzerinde bu değerlerin bağımsız testlerle doğrulandığını göstermiyor.
Ortak uygulamanın bir başka amacı da farklı bellek tedarikçilerinden gelen ürünlerin sisteme uyarlanmasını kolaylaştırmak. Nvidia, birden fazla üreticiden temin edilebilen standart bir NVHBM tasarımının entegrasyon ve doğrulama için gereken mühendislik çalışmasını azaltacağını belirtiyor. Bu nedenle haberin asıl konusu yalnızca iki rakip üreticinin aynı projede buluşması değil, Nvidia’nın farklı tedarikçilerden benzer davranış gösteren bellekler alabilmesi.
Samsung’un mevcut yaklaşımı ise daha bütünleşik. Şirket, şubat ayında duyurduğu HBM4 üretiminde kendi 1c DRAM teknolojisini 4 nanometre mantık taban yongasıyla birleştirdiğini açıklamıştı. Bellek, dökümhane ve gelişmiş paketleme çalışmalarını aynı çatı altında yürütmesi, Samsung’un müşterilerine sunduğu üretim modelinin temelini oluşturuyor. NVHBM iddiası, bu modelin belirli bir müşterinin teknik gereksinimleri doğrultusunda esnetilebileceğini gösteriyor.
Seoul Economic Daily’ye göre Samsung, standart HBM ürünlerinde ve diğer müşterilerine özel belleklerde kendi üretim modelini koruyacak. Şirketin, TSMC kapasitesinin talebi karşılayamaması ihtimaline karşı NVHBM taban yongasını kendi dökümhanesinde üretme seçeneğini de değerlendirdiği belirtiliyor. Dolayısıyla aktarım, Samsung’un HBM üretiminden çekildiği veya tüm taban yongası üretimini dışarı taşıdığı şeklinde okunmamalı. TSMC’nin 3 nanometre sürecinin kullanımı ve olası iş bölümünün ayrıntıları için şirketlerin açıklaması bekleniyor.
İLGİNİZİ ÇEKEBİLİR
Samsung’un altı şirketi Helix’e toplam 1 milyar dolar yatırıyor
Volvo, yeni otomatik sürüş sistemi için Nvidia ortaklığını genişletti
Galaxy F70 5G, 18 Ekim’de geliyor, OIS kamera ve AMOLED ekran sunacak
Galaxy S27+ kaydı UWB sorusunu gündeme getirdi, özellik Pro’ya kayabilir
One UI 10 sızıntısı, Galaxy telefonlarda uygulamalar arası geçişi değiştirebilir
Günün Öne Çıkan Fırsatları
REKLAM — Bu içerikte satış ortaklığı bağlantıları bulunmaktadır. Bu bağlantılar üzerinden yapılan alışverişlerden Teknoblog komisyon kazanabilir. Satış ortaklığı açıklaması
