Samsung, DDR5 belleğin hız ve kapasite açısından potansiyelini gösteren yeni bir RAM modülünü tanıttı. Samsung, 512GB DDR5 modülünün DDR4’ün iki katından fazla, 7200 Mbps hız sunan High-K Metal Gate (HKMG) teknolojisini ilk kullanan olduğunu söyledi. Şu anda bu teknoloji, veriye aç süper bilgisayarları, yapay zeka ve makine öğrenimi işlevlerini hedefliyor. Ancak DDR5 en sonunda normal PC’lere giden yolunu bulacak, oyun ve diğer uygulamaları hızlandıracak.
Samsung, ilk olarak 2018 yılında GPU’larda kullanılan GDDR6 yongaları ile HKMG teknolojisini kullandı. Intel tarafından geliştirilen bu ürün, normal polisilikon geçit elektrotlarının yerini alan metallerle silikon yerine hafniyum kullanıyor. Tüm bunlar, akım kaçağını azaltırken daha yüksek talaş yoğunluklarına izin veriyor.
Her bir yonga, 128 Gb veya 16 GB kapasite için sekiz kat 16 Gb DRAM yongası kullanır. Durum böyle olunca, Samsung’un 512GB RAM modülü yapmak için bunlardan 32 tanesine ihtiyacı olacak. Daha yüksek hız ve kapasitenin yanı sıra Samsung, çipin HKMG olmayan modüllere göre yüzde 13 oranında daha az güç kullandığını söyledi. Bu, veri merkezleri için ideal, ancak normal PC’ler için de o kadar kötü değil.
7200 Mbps hızıyla Samsung’un en son modülü, tek bir kanalda yaklaşık 57.6 GB/s aktarım hızı sunacak. Samsung’un basın açıklamasında Intel, belleğin yeni nesil “Sapphire Rapids” Xeon Ölçeklenebilir işlemcileriyle uyumlu olacağını belirtti. Bu mimari, sekiz kanallı bir DDR5 bellek denetleyicisi kullanacak, böylece 460 GB / sn’ye kadar yüksek bellek aktarım hızlarına sahip çok terabaytlı bellek yapılandırmalarını görebiliriz. Bu arada, ilk tüketici bilgisayarları 2022’de AMD’nin DDR5’i desteklediği söylenen Zen 4 platformunu tanıtmasıyla gelebilir.
[irp]
Bu fırsatlar ilginizi çekebilir
Teknoblog'un satış ortaklıkları vardır. Bunlar, editoryal içeriği etkilemez, ancak Teknoblog, satış ortaklığı bağlantıları üzerinden satın alınan ürünler için komisyon kazanabilir.
