Infineon, Avusturya’nın Villach kentindeki fabrikasında 300 milimetrelik silisyum karbür plakalar üzerinde çalışan güç yarı iletkenleri ürettiğini 9 Kasım tarihli duyurusunda açıkladı. Yarı iletken üretimindeki boyut tartışmalarından farklı olarak burada rakam, transistörlerin küçüklüğünü değil, çiplerin üretildiği dairesel plakanın çapını gösteriyor. Şirket, işlediği ilk plakayı 10 Kasım’da başlayan electronica fuarında sergiliyor.
Yeni çalışmanın somut tarafı, yalnızca büyük bir ham plakanın hazırlanması değil. Infineon bu plaka üzerinde işlev gören güç bileşenleri oluşturduğunu ve işlemi mevcut silisyum üretim ekipmanını kullanarak gerçekleştirdiğini belirtiyor. Bu adım, laboratuvar düzeyindeki bir malzeme örneğinden fabrika ortamındaki işlemeye geçişi gösteriyor.
Üreticiye göre 300 milimetrelik bir plaka, 200 milimetrelik plakaya kıyasla yaklaşık 2,3 kat çip çıkarma potansiyeli taşıyor. Ancak bu oran, her çipin performansının 2,3 kat arttığını ifade etmiyor. Daha büyük üretim yüzeyi, tek plakada daha fazla bileşen elde etme imkânı sağlıyor.
Silisyum karbür, elektrikli otomobillerde çekiş invertörleri, araç içi şarj birimleri ve hızlı şarj istasyonları gibi güç dönüşüm noktalarında kullanılıyor. Bunun yanında enerji depolama, endüstriyel motor sürücüleri ve kesintisiz güç kaynakları da kullanım alanları arasında bulunuyor. Malzeme, yüksek gerilim ve sıcaklıkta çalışırken güç kayıplarını azaltmaya yönelik tasarımlara imkân veriyor.
Büyük plakaların seri üretim takvimi henüz kesinleşmiyor
Infineon, 300 milimetrelik silisyum karbür üretiminin takvimini müşterileri ve ortaklarıyla birlikte belirleyecek. Bu sırada mevcut 200 milimetrelik üretim yol haritasını sürdürmeyi planlıyor. Dolayısıyla yeni plakanın gösterimi, bütün fabrikaların hemen daha büyük çapa geçtiğini veya piyasadaki ürünlerin bugünden ucuzladığını göstermiyor.
Şirket Dresden tesisinde de 300 milimetrelik silisyum karbür üzerinde Cold Split yönteminin uygulanabilirliğini doğruladığını bildiriyor. Bu yöntem, kristal kütleden plaka ayırırken geleneksel tel kesime göre malzeme kaybını ve işlem süresini azaltmayı hedefliyor. Böylece aynı kristalden daha fazla plaka çıkarma çalışması, büyük plakada çip üretme çalışmasına eşlik ediyor.
Yapay zeka veri merkezleri de açıklamada ayrı bir kullanım alanı oluşturuyor. Infineon, katı hal transformatörleri, devre kesiciler ve güç kaynaklarında silisyum karbüre yönelik talebin arttığını belirtiyor. Şirket fuarda bu üretim adımını gösteriyor, ancak ticari 300 milimetre SiC ürünleri için kesin bir teslimat tarihi açıklamıyor.
Günün Öne Çıkan Fırsatları
